三星电子计划在2025年开始量产基于GAA技术的2nm芯片

作者:Yu 来源:原创 2022-06-20

  6月20日消息,据外媒报道,三星电子计划在未来3年内制造出3nm级的GAA工艺,赶超台积电。

  据悉,GAA是新一代制程技术,改进了半导体晶体管结构,使栅极可以接触晶体管的四面,而不是目前的FinFET制程的三面。与FinFET过程相比,GAA结构可以更精确地控制电流。

三星电子计划在2025年开始量产基于GAA技术的2nm芯片

  据TrendForce数据显示,2021年第四季度,台积电在全球代工市场的占有率为52.1%,远超三星电子的18.3%。三星电子为了赶超台积电,将把GAA技术应用到3nm制程上。

  三星电子在6月初试制了3nm级GAA晶圆,成为世界上第一个使用GAA技术的企业。三星希望通过技术飞跃,迅速缩小与台积电的差距。与5nm工艺相比,3nm工艺使半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%,同时芯片面积减少了35%。

  三星电子计划在今年上半年将GAA技术应用于3nm制程,并于2023年在2代3nm制程中引入GAA技术,并于2025年在2nm制程中量产GAA技术。台积电的战略是在今年下半年利用稳定的FinFET工艺进军3nm半导体市场,而三星电子则押注于GAA技术。

  专家们认为,三星电子如果能确保以GAA为基础的3nm制程的稳定产量,就有可能成为代工市场的“游戏规则改变者”。预计台积电将从2nm芯片开始引入GAA工艺,并在2026年左右发布第一款产品。对三星电子来说,未来3年将是关键时期。

  三星电子最近表示,将在未来5年内对半导体等核心产业投资450万亿韩元。然而,三星电子在3nm工艺上遇到了障碍。与三星一样,台积电在提高3nm工艺的产量方面也遇到了困难。

  此外,台积电原本计划从7月份开始使用3nm技术为英特尔和苹果批量生产半导体,但在确保理想产量方面遇到了困难。据《电子时报》报道,台积电一直在努力确保其3nm工艺的理想产量,因此已数次修订其技术路线图。

  三星电子也面临着同样的情况,虽然3nm制程的试制已经在使用晶圆,但由于产出率低,一直推迟正式量产的公布。

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